Гъвкавите процесори стават реалност

31
Добави коментар
mayavp
mayavp

Гъвкавите процесори стават реалност

Ани Лашкова

петък, 2 Ноември 2012 12:04ч

Учени от Тексаския университет, Остин, САЩ, са разработили метод, който позволява да се получат високопроизводителни гъвкави интегрални схеми, използващи само стандартно оборудване и материали, които се употребяват в производството на традиционните чипове.

По-рано, за да получат гъвкави схеми, изследователите често прибягваха към съвършено нови за полупроводниковата промишленост материали, като полупроводникови полимери или неорганични нанопроводници. Други научни групи си опитваха щастието, използвайки нови прийоми в работата с привчния поликристален силиций или отлагаха различни форми на силиция върху гъвкави пластмасови подложки. Някои от тези подходи имаха успех, но всички те изискваха пълен отказ от съществуващото скъпо оборудване.

Екипът от Тексас обаче предлага метод за създаване на гъвкави интегрални схеми с всякаква сложност, който не се нуждае от значителни промени на съществуващите производствени процеси, което дава надежди, че той ще може да се внедри по-скоро.

Учените пробвали да намерят начин да нарежат обикновените силициеви подложки (вафли) на още по-тънки листа, които поради своята тънкост стават гъвкави. След това може да се започне с нанасянето на желания рисунък на интегралната схема върху повърхността на стандартна 200-милиметрова силициева пластина, използвайки “старите” производствени лини. Дебелината на такива пластини е около 600–700 микрона, а силицият става гъвкъв при дебелина от порядъка на няколко десетки микрона. Именно такъв слой с вече нанесения върху него рисунък трябва да се отдели от останалата подложка.

Това те успели да направят по доста оригинален начин. Подложката с подготовения рисунък те покрили галванически с тънък 50-100-микрометров слой от никел. След това нагрели получената метализирана подложка до 100 ˚C. При нагряването силицият и никелът се разсширяват с различни скорости, което води до подлагането на силиция на стрес. В резултат в краищата на подложката възниква разрез. Като се използва много тънка нишка разрезът се издълбава през цялата подложка. Процесът може да се сравни със срязване на сирене на тънки филии. След отстраняването на никела остава тънък и гъвкав силициев лист с вече нанесения рисунък на интегралната схема.

Интересното е, че технологията е била одобрена веднага от производителите на полупроводникови микросхеми.

Четете още: